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PCDD08120G1_L2_00001
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Produktdetails

Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke

Beschreibung: Diode SIL CARB 1,2KV 8A bis 252AA

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
60 μA @ 1200 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.7 V @ 8 A
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
418pF @ 1V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-252AA
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
0 n
Mfr:
Panjit International Inc.
Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 175 °C
Packung / Gehäuse:
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
1200 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
8A
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Basisproduktnummer:
Der Begriff "Fertigung" ist in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 zu verstehen.
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
60 μA @ 1200 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.7 V @ 8 A
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
418pF @ 1V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-252AA
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
0 n
Mfr:
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Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 175 °C
Packung / Gehäuse:
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
1200 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
8A
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Basisproduktnummer:
Der Begriff "Fertigung" ist in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 zu verstehen.
PCDD08120G1_L2_00001
Diode 1200 V 8A Oberflächenbefestigung TO-252AA

Tags:

Elektronische Bauelemente Soems STM32L073V8T6,

32 gebissene elektronische Bauelemente Mikroregler-Soems,

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