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JANTX1N6779
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Produktdetails

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Beschreibung: Diode GEN PURP 600V 15A bis 257

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
10 μA @ 480 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.6 V @ 15 A
Paket:
BULK
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
300 pF @ 5V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-257
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
60 ns
Mfr:
Mikrochiptechnik
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
150°C (maximal)
Packung / Gehäuse:
TO-257-3
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
600 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
15A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
10 μA @ 480 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.6 V @ 15 A
Paket:
BULK
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
300 pF @ 5V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
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Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
60 ns
Mfr:
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Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
150°C (maximal)
Packung / Gehäuse:
TO-257-3
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
600 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
15A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
JANTX1N6779
Diode 600 V 15A durch Loch TO-257

Tags:

Elektronische Bauelemente Soems STM32L073V8T6,

32 gebissene elektronische Bauelemente Mikroregler-Soems,

32 gebissenes Mikroregler St. ICS

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