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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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C6D08065Q-TR

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Beschreibung: DIODE SILIZIUM CARBID 650V 28A 4QFN

Erhalten Sie besten Preis
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
20 μA @ 650 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.5 V @ 8 A
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
518pF @ 0V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
Einheit für die Bereitstellung von Fahrzeugen mit einem Fahrrad
Mfr:
Wolfspeed, Inc.
Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 175 °C
Packung / Gehäuse:
4-PowerVQFN
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
650 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
28A
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
20 μA @ 650 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.5 V @ 8 A
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
518pF @ 0V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
Einheit für die Bereitstellung von Fahrzeugen mit einem Fahrrad
Mfr:
Wolfspeed, Inc.
Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 175 °C
Packung / Gehäuse:
4-PowerVQFN
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
650 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
28A
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
C6D08065Q-TR
Diode 650 V 28A Oberflächenhalter 4-QFN (8x8)