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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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SE30DT12-M3/I

Produktdetails

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Beschreibung: Diode GEN PURP 1,2 KV 30A SMPD

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Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
10 μA @ 1200 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1,29 V bei 30 A
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Serie:
eSMP®
Kapazität @ Vr, F:
132pF @ 4V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
SMPD
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
3.4 μs
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 175 °C
Packung / Gehäuse:
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab) Variante
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
1200 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
30A
Geschwindigkeit:
Standardrückgewinnung > 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
Die in Absatz 1 genannten Angaben sind zu beachten.
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
10 μA @ 1200 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1,29 V bei 30 A
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Serie:
eSMP®
Kapazität @ Vr, F:
132pF @ 4V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
SMPD
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
3.4 μs
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 175 °C
Packung / Gehäuse:
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab) Variante
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
1200 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
30A
Geschwindigkeit:
Standardrückgewinnung > 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
Die in Absatz 1 genannten Angaben sind zu beachten.
SE30DT12-M3/I
Diode 1200 V 30A Oberflächenmontage SMPD