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1N5061 TR PBFREE
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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A GPR-1A

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Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Letztes Mal kaufen
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
5 μA @ 600 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.2 V @ 1 A
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT)
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
15pF @ 4V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
GPR-1A
Mfr:
Zentral Semiconductor Corp.
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65°C ~ 175°C
Packung / Gehäuse:
R-1, Achs
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
600 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
1A
Geschwindigkeit:
Standardrückgewinnung > 500 ns, > 200 mA (Io)
Kategorie:
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Produktstatus:
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5 μA @ 600 V
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Packung / Gehäuse:
R-1, Achs
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
600 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
1A
Geschwindigkeit:
Standardrückgewinnung > 500 ns, > 200 mA (Io)
1N5061 TR PBFREE
Diode 600 V 1A durch das Loch GPR-1A

Tags:

Elektronische Bauelemente Soems STM32L073V8T6,

32 gebissene elektronische Bauelemente Mikroregler-Soems,

32 gebissenes Mikroregler St. ICS

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