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Haus > produits > Elektronische Bauelemente IC > EM 2BV1
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Beschreibung: Diode GEN PURP 800V 1,2A axiale

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
10 μA @ 800 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
920 mV @ 1,2 A
Paket:
Schneiden Sie Band (CT) Band u. Kasten (TB)
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
- -
Mfr:
Sanken Electric USA Inc.
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-40 °C ~ 150 °C
Packung / Gehäuse:
Akziale
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
800 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
1.2A
Geschwindigkeit:
Standardrückgewinnung > 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
EM 2
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
10 μA @ 800 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
920 mV @ 1,2 A
Paket:
Schneiden Sie Band (CT) Band u. Kasten (TB)
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
- -
Mfr:
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Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-40 °C ~ 150 °C
Packung / Gehäuse:
Akziale
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
800 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
1.2A
Geschwindigkeit:
Standardrückgewinnung > 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
EM 2
EM 2BV1
Diode 800 V 1,2 A durch Loch

Tags:

Elektronische Bauelemente Soems STM32L073V8T6,

32 gebissene elektronische Bauelemente Mikroregler-Soems,

32 gebissenes Mikroregler St. ICS

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