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Produktdetails

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Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO41

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Category:
Discrete Semiconductor Products Diodes Rectifiers Single Diodes
Product Status:
Not For New Designs
Current - Reverse Leakage @ Vr:
5 µA @ 100 V
Mounting Type:
Through Hole
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:
950 mV @ 1 A
Package:
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Series:
-
Capacitance @ Vr, F:
-
Supplier Device Package:
DO-41
Reverse Recovery Time (trr):
50 ns
Mfr:
onsemi
Technology:
Standard
Operating Temperature - Junction:
-65°C ~ 150°C
Package / Case:
DO-204AL, DO-41, Axial
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):
100 V
Current - Average Rectified (Io):
1A
Speed:
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Base Product Number:
EGP10
Category:
Discrete Semiconductor Products Diodes Rectifiers Single Diodes
Product Status:
Not For New Designs
Current - Reverse Leakage @ Vr:
5 µA @ 100 V
Mounting Type:
Through Hole
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:
950 mV @ 1 A
Package:
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Series:
-
Capacitance @ Vr, F:
-
Supplier Device Package:
DO-41
Reverse Recovery Time (trr):
50 ns
Mfr:
onsemi
Technology:
Standard
Operating Temperature - Junction:
-65°C ~ 150°C
Package / Case:
DO-204AL, DO-41, Axial
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):
100 V
Current - Average Rectified (Io):
1A
Speed:
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Base Product Number:
EGP10
EGP10B
Diode 100 V 1A durch Loch DO-41

Tags:

Elektronische Bauelemente Soems STM32L073V8T6,

32 gebissene elektronische Bauelemente Mikroregler-Soems,

32 gebissenes Mikroregler St. ICS

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