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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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IV1D12020T3

Produktdetails

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Beschreibung: SIC-Diode, 1200V 20A ((10A/LEG), T

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Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Diodenarrays
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Durchschnittlich bereinigt (Io) (pro Diode):
30A (Gleichstrom)
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 175 °C
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.8 V @ 20 A
Paket:
Schlauch
Serie:
- -
Diodenkonfiguration:
1 Paar gemeinsame Kathode
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-247-3
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
0 n
Mfr:
Erfindungsschild
Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Packung / Gehäuse:
TO-247-3
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
1200 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
100 μA @ 1200 V
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Diodenarrays
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Durchschnittlich bereinigt (Io) (pro Diode):
30A (Gleichstrom)
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 175 °C
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.8 V @ 20 A
Paket:
Schlauch
Serie:
- -
Diodenkonfiguration:
1 Paar gemeinsame Kathode
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-247-3
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
0 n
Mfr:
Erfindungsschild
Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Packung / Gehäuse:
TO-247-3
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
1200 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
100 μA @ 1200 V
IV1D12020T3
Diodenarray 1 Paar Gemeinsame Kathode 1200 V 30A (DC) durch Loch TO-247-3