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Beschreibung: NEXPERIA BAV70 - Hochgeschwindigkeits-Switch

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Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Diodenarrays
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Durchschnittlich bereinigt (Io) (pro Diode):
175 mA (Gleichstrom)
Betriebstemperatur - Kreuzung:
150°C (maximal)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1,25 V bei 150 mA
Paket:
BULK
Serie:
Automobilindustrie, AEC-Q101
Diodenkonfiguration:
1 Paar gemeinsame Kathode
Lieferanten-Gerätepaket:
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
4 ns
Mfr:
NXP USA Inc.
Technologie:
Standard
Packung / Gehäuse:
3-XDFN-Aufdeckungsplattform
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
100 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Geschwindigkeit:
Kleines Signal = < 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit
Basisproduktnummer:
BAV70
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
500 nA @ 80 V
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Diodenarrays
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Durchschnittlich bereinigt (Io) (pro Diode):
175 mA (Gleichstrom)
Betriebstemperatur - Kreuzung:
150°C (maximal)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1,25 V bei 150 mA
Paket:
BULK
Serie:
Automobilindustrie, AEC-Q101
Diodenkonfiguration:
1 Paar gemeinsame Kathode
Lieferanten-Gerätepaket:
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
4 ns
Mfr:
NXP USA Inc.
Technologie:
Standard
Packung / Gehäuse:
3-XDFN-Aufdeckungsplattform
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
100 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Geschwindigkeit:
Kleines Signal = < 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit
Basisproduktnummer:
BAV70
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
500 nA @ 80 V
BAV70QA147
Diodenarray 1 Paar Gemeinsame Kathode 100 V 175mA (DC) Oberflächenmontage 3-XDFN Exposed Pad

Tags:

Elektronische Bauelemente Soems STM32L073V8T6,

32 gebissene elektronische Bauelemente Mikroregler-Soems,

32 gebissenes Mikroregler St. ICS

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