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VS-3C08ET07T-M3
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Beschreibung: 650 V POWER SIC GEN 3 FUSSION PIN

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
45 μA @ 650 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.5 V @ 8 A
Paket:
Schlauch
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
340 pF @ 1V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-220AC
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
0 n
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 175 °C
Packung / Gehäuse:
TO-220-2
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
650 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
8A
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
45 μA @ 650 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.5 V @ 8 A
Paket:
Schlauch
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
340 pF @ 1V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-220AC
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
0 n
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 175 °C
Packung / Gehäuse:
TO-220-2
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
650 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
8A
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
VS-3C08ET07T-M3
Diode 650 V 8A durch das Loch TO-220AC

Tags:

Elektronische Bauelemente Soems STM32L073V8T6,

32 gebissene elektronische Bauelemente Mikroregler-Soems,

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