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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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RBLQ20BGE10TL

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Beschreibung: TRENCH-MOS-STRUKTUR, 100 V, 20 A,

Erhalten Sie besten Preis
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
µA 80 @ 100 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
860 mV @ 20 A
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
Die Zulassung ist abgeschlossen.
Mfr:
Rohm Halbleiter
Technologie:
Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
150°C
Packung / Gehäuse:
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
100 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
20A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
RBLQ20
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
µA 80 @ 100 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
860 mV @ 20 A
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
Die Zulassung ist abgeschlossen.
Mfr:
Rohm Halbleiter
Technologie:
Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
150°C
Packung / Gehäuse:
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
100 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
20A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
RBLQ20
RBLQ20BGE10TL
Diode 100 V 20A Oberflächenbefestigung TO-252GE