Produktdetails
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Beschreibung: DIODE AVALANCHE 800V 1A DO220AA
Kategorie: |
Diskrete Halbleiterprodukte
Dioden
Rectifikatoren
Einzeldioden |
Produktstatus: |
Aktiv |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: |
1 μA @ 800 V |
Art der Montage: |
Oberflächenbefestigung |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn: |
1.85 V @ 1 A |
Paket: |
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT) |
Serie: |
Automobil, AEC-Q101, eSMP® |
Kapazität @ Vr, F: |
7.5pF @ 4V, 1MHz |
Lieferanten-Gerätepaket: |
DO-220AA (SMP) |
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr): |
75 ns |
Mfr: |
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung |
Technologie: |
Lawine |
Betriebstemperatur - Kreuzung: |
-55 °C ~ 175 °C |
Packung / Gehäuse: |
DO-220AA |
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal): |
800 V |
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io): |
1A |
Geschwindigkeit: |
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io) |
Basisproduktnummer: |
AU1 |
Kategorie: |
Diskrete Halbleiterprodukte
Dioden
Rectifikatoren
Einzeldioden |
Produktstatus: |
Aktiv |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: |
1 μA @ 800 V |
Art der Montage: |
Oberflächenbefestigung |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn: |
1.85 V @ 1 A |
Paket: |
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT) |
Serie: |
Automobil, AEC-Q101, eSMP® |
Kapazität @ Vr, F: |
7.5pF @ 4V, 1MHz |
Lieferanten-Gerätepaket: |
DO-220AA (SMP) |
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr): |
75 ns |
Mfr: |
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung |
Technologie: |
Lawine |
Betriebstemperatur - Kreuzung: |
-55 °C ~ 175 °C |
Packung / Gehäuse: |
DO-220AA |
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal): |
800 V |
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io): |
1A |
Geschwindigkeit: |
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io) |
Basisproduktnummer: |
AU1 |