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Einheit für die Berechnung der in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 528/2012 aufgeführten Anforderungen

Produktdetails

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Beschreibung: Diode SIL CARB 1,2 KV 2A TO220-1

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung

Hervorheben:

Kategorie:	Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden	Produktstatus:	Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:	18 μA @ 1200 V	Art der Montage:	Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:	1.65 V @ 2 A	Paket:	Schlauch
Serie:	CoolSiC™+	Kapazität @ Vr, F:	182pF @ 1V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:	Der Ausdruck "System" ist in der Liste aufgeführt.	Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):	0 n
Mfr:	Infineon Technologies	Technologie:	Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:	175°C (maximal)	Packung / Gehäuse:	TO-220-2
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):	1200 V	Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):	2A
Geschwindigkeit:	Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)	Basisproduktnummer:	IDH02G120

Kategorie:	Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:	Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:	18 μA @ 1200 V
Art der Montage:	Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:	1.65 V @ 2 A
Paket:	Schlauch
Serie:	CoolSiC™+
Kapazität @ Vr, F:	182pF @ 1V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:	Der Ausdruck "System" ist in der Liste aufgeführt.
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):	0 n
Mfr:	Infineon Technologies
Technologie:	Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:	175°C (maximal)
Packung / Gehäuse:	TO-220-2
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):	1200 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):	2A
Geschwindigkeit:	Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Basisproduktnummer:	IDH02G120