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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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WNSC6D01650MBJ

Produktdetails

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Beschreibung: Diode SIL CARBIDE 650V 1A SMB

Erhalten Sie besten Preis
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
20 μA @ 650 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.4 V @ 1 A
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
130 pF @ 1V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
SMB
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
0 n
Mfr:
WeEn-Halbleiter
Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
175°C
Packung / Gehäuse:
DO-214AA, SMB
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
650 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
1A
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Basisproduktnummer:
WNSC6
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
20 μA @ 650 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.4 V @ 1 A
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
130 pF @ 1V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
SMB
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
0 n
Mfr:
WeEn-Halbleiter
Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
175°C
Packung / Gehäuse:
DO-214AA, SMB
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
650 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
1A
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Basisproduktnummer:
WNSC6
WNSC6D01650MBJ
Diode 650 V 1A Oberflächenbefestigung SMB