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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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1N5062TR

Produktdetails

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Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
1 μA @ 800 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.15 V @ 2,5 A
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT)
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
40pF @ 0V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
SOD-57
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
4 µs
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
Technologie:
Lawine
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 175 °C
Packung / Gehäuse:
SOD-57, axial
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
800 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
2A
Geschwindigkeit:
Standardrückgewinnung > 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
1N5062
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
1 μA @ 800 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.15 V @ 2,5 A
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT)
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
40pF @ 0V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
SOD-57
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
4 µs
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
Technologie:
Lawine
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 175 °C
Packung / Gehäuse:
SOD-57, axial
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
800 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
2A
Geschwindigkeit:
Standardrückgewinnung > 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
1N5062
1N5062TR
Diode 800 V 2A durch Loch SOD-57