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Dies gilt auch für die Produkte, für die die Anforderungen der Richtlinie 2006/125/EG erfüllt sind.

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Beschreibung: JFET 2N-CH 60V TO78-6

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Produkt-Beschreibung

Hervorheben:

Kategorie:	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs	FET-Typ:	N-Kanal 2 (Doppel)
Produktstatus:	Aktiv	Spannungsausfall (V (BR) GSS):	60 V
Typ der Montage:	Durchs Loch	Paket:	Schüttgut
Reihe:	LS844	Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):	1.5 mA @ 15 V
Lieferanten-Gerätepaket:	TO-78-6	Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:	1 V @ 1 nA
Leistung - Max.:	400 mW	Mfr:	Lineare integrierte Systeme, Inc.
Betriebstemperatur:	-55 °C bis 150 °C (TJ)	Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:	8pF @ 15V
Packung / Gehäuse:	Metall TO-78-6 kann

Kategorie:	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:	N-Kanal 2 (Doppel)
Produktstatus:	Aktiv
Spannungsausfall (V (BR) GSS):	60 V
Typ der Montage:	Durchs Loch
Paket:	Schüttgut
Reihe:	LS844
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):	1.5 mA @ 15 V
Lieferanten-Gerätepaket:	TO-78-6
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:	1 V @ 1 nA
Leistung - Max.:	400 mW
Mfr:	Lineare integrierte Systeme, Inc.
Betriebstemperatur:	-55 °C bis 150 °C (TJ)
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:	8pF @ 15V
Packung / Gehäuse:	Metall TO-78-6 kann

Dies gilt auch für die Produkte, für die die Anforderungen der Richtlinie 2006/125/EG erfüllt sind.

JFET 2 N-Kanal (Doppelkanal) 60 V 400 mW durch Loch TO-78-6

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Dies gilt auch für die Produkte, für die die Anforderungen der Richtlinie 2006/125/EG erfüllt sind.

IRFP90N20D-Dioden-Trioden-Transistor,

Dioden-Trioden-Transistor durch Loch-Montage,

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