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2N5114 TO-18 3L ROHS
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Produktdetails

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Beschreibung: JFET P-CH 30V TO18-3

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
P-Kanal
Produktstatus:
Aktiv
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
30 V
Typ der Montage:
Durchs Loch
Paket:
Schüttgut
Reihe:
2N5114
Widerstand - RDS (an):
75 Ohm
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-18-3
Leistung - Max.:
500 mW
Mfr:
Lineare integrierte Systeme, Inc.
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
25pF @ 15V
Packung / Gehäuse:
TO-206AA, Metall TO-18-3 kann
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
P-Kanal
Produktstatus:
Aktiv
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
30 V
Typ der Montage:
Durchs Loch
Paket:
Schüttgut
Reihe:
2N5114
Widerstand - RDS (an):
75 Ohm
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-18-3
Leistung - Max.:
500 mW
Mfr:
Lineare integrierte Systeme, Inc.
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
25pF @ 15V
Packung / Gehäuse:
TO-206AA, Metall TO-18-3 kann
2N5114 TO-18 3L ROHS
JFET P-Kanal 30 V 500 mW durch Loch TO-18-3

Tags:

IRFP90N20D-Dioden-Trioden-Transistor,

Dioden-Trioden-Transistor durch Loch-Montage,

Dioden-Trioden-Transistor 200V 50A

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