Kategorie:	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs	FET-Typ:	N-Kanal
Produktstatus:	Aktiv	Art der Montage:	Oberflächenbefestigung
Paket:	Streifen	Serie:	IF140
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):	7 mA @ 15 V	Mfr:	InterFET
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:	3 V @ 5 nA	Lieferanten-Gerätepaket:	SOT-23-3
Packung / Gehäuse:	SOT-23-3	Leistung - Max.:	350 mW
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:	1.8pF @ 15V	Widerstand - RDS (an):	220 Ohm
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):	20 V	Betriebstemperatur:	-55 °C bis 150 °C (TJ)

Kategorie:	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:	N-Kanal
Produktstatus:	Aktiv
Art der Montage:	Oberflächenbefestigung
Paket:	Streifen
Serie:	IF140
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):	7 mA @ 15 V
Mfr:	InterFET
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:	3 V @ 5 nA
Lieferanten-Gerätepaket:	SOT-23-3
Packung / Gehäuse:	SOT-23-3
Leistung - Max.:	350 mW
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:	1.8pF @ 15V
Widerstand - RDS (an):	220 Ohm
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):	20 V
Betriebstemperatur:	-55 °C bis 150 °C (TJ)

IF140AST3

JFET N-Kanal 350 mW Oberflächenbefestigung SOT-23-3

Tags:

IRFP90N20D-Dioden-Trioden-Transistor,

Dioden-Trioden-Transistor durch Loch-Montage,

Dioden-Trioden-Transistor 200V 50A

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