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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen.
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Produktdetails

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Beschreibung: JFET 2N-CH 40V 8SOIC

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal 2 (Doppel)
Produktstatus:
Aktiv
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
40 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Schlauch
Reihe:
LSK389
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
6 mA @ 10 V
Lieferanten-Gerätepaket:
8-SOIC
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
300 mV @ 100 nA
Leistung - Max.:
400 mW
Mfr:
Lineare integrierte Systeme, Inc.
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
25pF @ 10V
Packung / Gehäuse:
8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal 2 (Doppel)
Produktstatus:
Aktiv
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
40 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Schlauch
Reihe:
LSK389
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
6 mA @ 10 V
Lieferanten-Gerätepaket:
8-SOIC
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
300 mV @ 100 nA
Leistung - Max.:
400 mW
Mfr:
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Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
25pF @ 10V
Packung / Gehäuse:
8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen.
JFET 2 N-Kanal (Doppelkanal) 40 V 400 mW Oberflächenbefestigung 8-SOIC

Tags:

IRFP90N20D-Dioden-Trioden-Transistor,

Dioden-Trioden-Transistor durch Loch-Montage,

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