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VCR11N TO-71 6L
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Produktdetails

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Beschreibung: JFET N-CH 25V bis 71

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Aktiv
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
25 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Paket:
BULK
Serie:
VCR11N
Widerstand - RDS (an):
200 Ohm
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-71
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
8 V @ 1 μA
Leistung - Max.:
300mW
Mfr:
Lineare integrierte Systeme, Inc.
Betriebstemperatur:
-55 °C ~ 135 °C (TJ)
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
- -
Packung / Gehäuse:
Metall TO-71-6 kann
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Aktiv
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
25 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Paket:
BULK
Serie:
VCR11N
Widerstand - RDS (an):
200 Ohm
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-71
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
8 V @ 1 μA
Leistung - Max.:
300mW
Mfr:
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Betriebstemperatur:
-55 °C ~ 135 °C (TJ)
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
- -
Packung / Gehäuse:
Metall TO-71-6 kann
VCR11N TO-71 6L
JFET N-Kanal 25 V 300 mW durch Loch TO-71

Tags:

IRFP90N20D-Dioden-Trioden-Transistor,

Dioden-Trioden-Transistor durch Loch-Montage,

Dioden-Trioden-Transistor 200V 50A

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