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4392DFN 8L ROHS
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Produktdetails

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Beschreibung: JFET N-CH 40V 50MA 8DFN

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Aktiv
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
40 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Serie:
- -
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
25 mA @ 20 V
Mfr:
Lineare integrierte Systeme, Inc.
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
2 V @ 10 nA
Lieferanten-Gerätepaket:
8-DFN (2x2)
Stromverbrauch (Identifikation) - maximal:
50 MA
Leistung - Max.:
300mW
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
13pF @ 20V
Widerstand - RDS (an):
60 Ohm
Packung / Gehäuse:
8-VFDFN exponiertes Pad
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
40 V
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Aktiv
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
40 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Serie:
- -
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
25 mA @ 20 V
Mfr:
Lineare integrierte Systeme, Inc.
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
2 V @ 10 nA
Lieferanten-Gerätepaket:
8-DFN (2x2)
Stromverbrauch (Identifikation) - maximal:
50 MA
Leistung - Max.:
300mW
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
13pF @ 20V
Widerstand - RDS (an):
60 Ohm
Packung / Gehäuse:
8-VFDFN exponiertes Pad
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
40 V
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
4392DFN 8L ROHS
JFET N-Kanal 40 V 50 mA 300 mW Oberflächenbefestigung 8-DFN (2x2)

Tags:

IRFP90N20D-Dioden-Trioden-Transistor,

Dioden-Trioden-Transistor durch Loch-Montage,

Dioden-Trioden-Transistor 200V 50A

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