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Produktdetails

Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke

Beschreibung: JFET N-Kanal -40V Niedrig Ciss

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Aktiv
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Streifen
Serie:
Einheitliche Datenbank
Packung / Gehäuse:
SOT-23-3
Mfr:
InterFET
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
1.5 V @ 10 nA
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-23-3
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Leistung - Max.:
350 mW
Widerstand - RDS (an):
700 Ohm
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
40 V
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Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Aktiv
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Streifen
Serie:
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Packung / Gehäuse:
SOT-23-3
Mfr:
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1.5 V @ 10 nA
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Leistung - Max.:
350 mW
Widerstand - RDS (an):
700 Ohm
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
40 V
Einheit für die Bereitstellung von Dienstleistungen
JFET N-Kanal 350 mW Oberflächenbefestigung SOT-23-3

Tags:

IRFP90N20D-Dioden-Trioden-Transistor,

Dioden-Trioden-Transistor durch Loch-Montage,

Dioden-Trioden-Transistor 200V 50A

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