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Produktdetails

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Beschreibung: JFET 2N-CH 25V SOT23-6

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal 2 (Doppel)
Produktstatus:
Aktiv
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
25 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Serie:
LSK589
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
7 mA @ 10 V
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-23-6
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
1.5 V @ 1 nA
Leistung - Max.:
500 mW
Mfr:
Lineare integrierte Systeme, Inc.
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
5pF @ 10V
Packung / Gehäuse:
SOT-23-6
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal 2 (Doppel)
Produktstatus:
Aktiv
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
25 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Serie:
LSK589
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
7 mA @ 10 V
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-23-6
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
1.5 V @ 1 nA
Leistung - Max.:
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Mfr:
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Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
5pF @ 10V
Packung / Gehäuse:
SOT-23-6
Die Ausrüstung ist mit einer Breite von mehr als 20 mm.
JFET 2 N-Kanal (Doppelkanal) 25 V 500 mW Oberflächenhalter SOT-23-6

Tags:

IRFP90N20D-Dioden-Trioden-Transistor,

Dioden-Trioden-Transistor durch Loch-Montage,

Dioden-Trioden-Transistor 200V 50A

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