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Produktdetails

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Beschreibung: JFET P-CH 30V SOT23-3

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
P-Kanal
Produktstatus:
Veraltet
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
30 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
BULK
Serie:
- -
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
1.5 mA @ 15 V
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-23-3
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
800 mV @ 10 nA
Leistung - Max.:
225mW
Mfr:
Einheitlich
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
- -
Packung / Gehäuse:
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:
Basisproduktnummer:
MFBFJ1
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
P-Kanal
Produktstatus:
Veraltet
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
30 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
BULK
Serie:
- -
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
1.5 mA @ 15 V
Lieferanten-Gerätepaket:
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Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
800 mV @ 10 nA
Leistung - Max.:
225mW
Mfr:
Einheitlich
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
- -
Packung / Gehäuse:
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:
Basisproduktnummer:
MFBFJ1
Die in Absatz 1 genannte Nummer gilt nicht.
JFET P-Kanal 30 V 225 mW Oberflächenbefestigung SOT-23-3

Tags:

IRFP90N20D-Dioden-Trioden-Transistor,

Dioden-Trioden-Transistor durch Loch-Montage,

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