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Produktdetails

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Beschreibung: JFET P-CH 30V TO92-3

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
P-Kanal
Produktstatus:
Veraltet
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
30 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Paket:
Band und Box (TB)
Serie:
- -
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
2 mA @ 15 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
1 V @ 10 nA
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-92-3
Packung / Gehäuse:
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) bildete Führungen
Leistung - Max.:
400 mW
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
8pF @ 10V (VGS)
Widerstand - RDS (an):
250 Ohm
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
30 V
Basisproduktnummer:
J176
Betriebstemperatur:
150°C (TJ)
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
P-Kanal
Produktstatus:
Veraltet
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
30 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Paket:
Band und Box (TB)
Serie:
- -
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
2 mA @ 15 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
1 V @ 10 nA
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-92-3
Packung / Gehäuse:
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) bildete Führungen
Leistung - Max.:
400 mW
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
8pF @ 10V (VGS)
Widerstand - RDS (an):
250 Ohm
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
30 V
Basisproduktnummer:
J176
Betriebstemperatur:
150°C (TJ)
J176,126
JFET P-Kanal 30 V 400 mW durch Loch TO-92-3

Tags:

IRFP90N20D-Dioden-Trioden-Transistor,

Dioden-Trioden-Transistor durch Loch-Montage,

Dioden-Trioden-Transistor 200V 50A

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