Produktdetails
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Beschreibung: JFET P-CH 30V TO92-3
Kategorie: |
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
JFETs |
FET-Typ: |
P-Kanal |
Produktstatus: |
Veraltet |
Spannungsausfall (V (BR) GSS): |
30 V |
Art der Montage: |
Durchs Loch |
Paket: |
Band und Box (TB) |
Serie: |
- - |
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
2 mA @ 15 V |
Mfr: |
NXP USA Inc. |
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @: |
1 V @ 10 nA |
Lieferanten-Gerätepaket: |
TO-92-3 |
Packung / Gehäuse: |
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) bildete Führungen |
Leistung - Max.: |
400 mW |
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: |
8pF @ 10V (VGS) |
Widerstand - RDS (an): |
250 Ohm |
Abflussspannung zur Quelle (Vdss): |
30 V |
Basisproduktnummer: |
J176 |
Betriebstemperatur: |
150°C (TJ) |
Kategorie: |
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
JFETs |
FET-Typ: |
P-Kanal |
Produktstatus: |
Veraltet |
Spannungsausfall (V (BR) GSS): |
30 V |
Art der Montage: |
Durchs Loch |
Paket: |
Band und Box (TB) |
Serie: |
- - |
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
2 mA @ 15 V |
Mfr: |
NXP USA Inc. |
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @: |
1 V @ 10 nA |
Lieferanten-Gerätepaket: |
TO-92-3 |
Packung / Gehäuse: |
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) bildete Führungen |
Leistung - Max.: |
400 mW |
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: |
8pF @ 10V (VGS) |
Widerstand - RDS (an): |
250 Ohm |
Abflussspannung zur Quelle (Vdss): |
30 V |
Basisproduktnummer: |
J176 |
Betriebstemperatur: |
150°C (TJ) |