Produktdetails
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Beschreibung: JFET N-CH 40V bis 206AF
Kategorie: |
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
JFETs |
FET-Typ: |
N-Kanal |
Produktstatus: |
Veraltet |
Spannungsausfall (V (BR) GSS): |
40 V |
Art der Montage: |
Durchs Loch |
Paket: |
BULK |
Serie: |
- - |
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
80 μA @ 10 V |
Lieferanten-Gerätepaket: |
Die Ausrüstung ist in Form von einem Zustandsausrüstungssystem ausgelegt. |
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @: |
1 V @ 1 nA |
Leistung - Max.: |
300mW |
Mfr: |
Vishay Siliconix |
Betriebstemperatur: |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: |
3pF @ 10V |
Packung / Gehäuse: |
TO-206AF, TO-72-4 Metalldose |
Basisproduktnummer: |
2N4118 |
Kategorie: |
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
JFETs |
FET-Typ: |
N-Kanal |
Produktstatus: |
Veraltet |
Spannungsausfall (V (BR) GSS): |
40 V |
Art der Montage: |
Durchs Loch |
Paket: |
BULK |
Serie: |
- - |
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
80 μA @ 10 V |
Lieferanten-Gerätepaket: |
Die Ausrüstung ist in Form von einem Zustandsausrüstungssystem ausgelegt. |
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @: |
1 V @ 1 nA |
Leistung - Max.: |
300mW |
Mfr: |
Vishay Siliconix |
Betriebstemperatur: |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: |
3pF @ 10V |
Packung / Gehäuse: |
TO-206AF, TO-72-4 Metalldose |
Basisproduktnummer: |
2N4118 |