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J108,126
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Produktdetails

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Beschreibung: JFET N-CH 25V TO92-3

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Veraltet
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
25 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Paket:
Band und Box (TB)
Serie:
- -
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
80 mA @ 5 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
10 V @ 1 μA
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-92-3
Packung / Gehäuse:
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) bildete Führungen
Leistung - Max.:
400 mW
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
30 pF @ 0V
Widerstand - RDS (an):
8 Ohm
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
25 V
Basisproduktnummer:
J108
Betriebstemperatur:
150°C (TJ)
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Veraltet
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
25 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Paket:
Band und Box (TB)
Serie:
- -
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
80 mA @ 5 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
10 V @ 1 μA
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-92-3
Packung / Gehäuse:
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) bildete Führungen
Leistung - Max.:
400 mW
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
30 pF @ 0V
Widerstand - RDS (an):
8 Ohm
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
25 V
Basisproduktnummer:
J108
Betriebstemperatur:
150°C (TJ)
J108,126
JFET N-Kanal 25 V 400 mW durch Loch TO-92-3

Tags:

IRFP90N20D-Dioden-Trioden-Transistor,

Dioden-Trioden-Transistor durch Loch-Montage,

Dioden-Trioden-Transistor 200V 50A

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