Kategorie:	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs	FET-Typ:	N-Kanal
Produktstatus:	Veraltet	Spannungsausfall (V (BR) GSS):	30 V
Art der Montage:	Oberflächenbefestigung	Paket:	Tray
Serie:	- -	Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):	5 mA @ 20 V
Lieferanten-Gerätepaket:	Sterben.	Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:	6 V @ 1 nA
Mfr:	Zentral Semiconductor Corp.	Betriebstemperatur:	-65 °C bis 150 °C (TJ)
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:	4pF @ 15V	Packung / Gehäuse:	Sterben.
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):	30 V

Kategorie:	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:	N-Kanal
Produktstatus:	Veraltet
Spannungsausfall (V (BR) GSS):	30 V
Art der Montage:	Oberflächenbefestigung
Paket:	Tray
Serie:	- -
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):	5 mA @ 20 V
Lieferanten-Gerätepaket:	Sterben.
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:	6 V @ 1 nA
Mfr:	Zentral Semiconductor Corp.
Betriebstemperatur:	-65 °C bis 150 °C (TJ)
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:	4pF @ 15V
Packung / Gehäuse:	Sterben.
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):	30 V

CP210-2N4416-CT20

JFET-N-Kanal 30 V Oberflächenaufbau

Tags:

IRFP90N20D-Dioden-Trioden-Transistor,

Dioden-Trioden-Transistor durch Loch-Montage,

Dioden-Trioden-Transistor 200V 50A

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