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MQ2N2608UB/TR
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Produktdetails

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Beschreibung: JFET P-CH 30V UB

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
P-Kanal
Produktstatus:
Aktiv
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
30 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
Militärische, MIL-PRF-19500/295
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
1 mA @ 5 V
Lieferanten-Gerätepaket:
UB
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
750 mV @ 1 μA
Leistung - Max.:
300mW
Mfr:
Mikrochiptechnik
Betriebstemperatur:
-65°C | 200°C (TJ)
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
10pF @ 5V
Packung / Gehäuse:
3-SMD, ohne Blei
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
P-Kanal
Produktstatus:
Aktiv
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
30 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
Militärische, MIL-PRF-19500/295
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
1 mA @ 5 V
Lieferanten-Gerätepaket:
UB
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750 mV @ 1 μA
Leistung - Max.:
300mW
Mfr:
Mikrochiptechnik
Betriebstemperatur:
-65°C | 200°C (TJ)
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
10pF @ 5V
Packung / Gehäuse:
3-SMD, ohne Blei
MQ2N2608UB/TR
JFET P-Kanal 30 V 300 mW Oberflächenbefestigung UB

Tags:

IRFP90N20D-Dioden-Trioden-Transistor,

Dioden-Trioden-Transistor durch Loch-Montage,

Dioden-Trioden-Transistor 200V 50A

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