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Produktdetails

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Beschreibung: JFET P-CH 30V UB

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
P-Kanal
Produktstatus:
Aktiv
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
30 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
Militär, MIL-PRF-19500
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
30 mA @ 18 V
Mfr:
Mikrochiptechnik
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
5 V @ 1 nA
Lieferanten-Gerätepaket:
UB
Packung / Gehäuse:
3-SMD, ohne Blei
Leistung - Max.:
500 mW
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
25pF @ 15V
Widerstand - RDS (an):
75 Ohm
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
30 V
Betriebstemperatur:
-65°C | 200°C (TJ)
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
P-Kanal
Produktstatus:
Aktiv
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
30 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
Militär, MIL-PRF-19500
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
30 mA @ 18 V
Mfr:
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Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
5 V @ 1 nA
Lieferanten-Gerätepaket:
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500 mW
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25pF @ 15V
Widerstand - RDS (an):
75 Ohm
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
30 V
Betriebstemperatur:
-65°C | 200°C (TJ)
Die Angabe der Größenordnung ist nicht erforderlich.
JFET P-Kanal 30 V 500 mW Oberflächenbefestigung UB

Tags:

IRFP90N20D-Dioden-Trioden-Transistor,

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