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Produktdetails

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Beschreibung: JFET N-CH 25V bis 106

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Aktiv
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
25 V
Typ der Montage:
Durchs Loch
Paket:
Tasche
Reihe:
-
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
500 μA @ 15 V
Mfr:
NTE Electronics, Inc
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
6.5 V @ 1 nA
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-106
Packung / Gehäuse:
TO-106-3 Kuppel
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
-
Leistung - Max.:
300mW
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
25 V
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Aktiv
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
25 V
Typ der Montage:
Durchs Loch
Paket:
Tasche
Reihe:
-
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
500 μA @ 15 V
Mfr:
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Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
6.5 V @ 1 nA
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-106
Packung / Gehäuse:
TO-106-3 Kuppel
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
-
Leistung - Max.:
300mW
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
25 V
NTE133
JFET N-Kanal 25 V 300 mW durch Loch TO-106

Tags:

IRFP90N20D-Dioden-Trioden-Transistor,

Dioden-Trioden-Transistor durch Loch-Montage,

Dioden-Trioden-Transistor 200V 50A

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