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Produktdetails

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Beschreibung: JFET N-CH 40V 3UB

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Aktiv
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
40 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
8 mA @ 15 V
Mfr:
Mikrochiptechnik
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
4 V @ 500 pA
Lieferanten-Gerätepaket:
3-UB (3.09x2.45)
Packung / Gehäuse:
3-SMD, ohne Blei
Leistung - Max.:
360 mW
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
18pF @ 10V (VGS)
Widerstand - RDS (an):
60 Ohm
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
40 V
Basisproduktnummer:
2N4858
Betriebstemperatur:
-65°C | 200°C (TJ)
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Aktiv
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
40 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
8 mA @ 15 V
Mfr:
Mikrochiptechnik
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
4 V @ 500 pA
Lieferanten-Gerätepaket:
3-UB (3.09x2.45)
Packung / Gehäuse:
3-SMD, ohne Blei
Leistung - Max.:
360 mW
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
18pF @ 10V (VGS)
Widerstand - RDS (an):
60 Ohm
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
40 V
Basisproduktnummer:
2N4858
Betriebstemperatur:
-65°C | 200°C (TJ)
2N4858UB
JFET N-Kanal 40 V 360 mW Oberflächenhalter 3-UB (3.09x2.45)

Tags:

IRFP90N20D-Dioden-Trioden-Transistor,

Dioden-Trioden-Transistor durch Loch-Montage,

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