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Produktdetails

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Beschreibung: JFET N-CH 20V 1MA TO92S

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Veraltet
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
20 V
Typ der Montage:
Durchs Loch
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
100 μA @ 5 V
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-92S
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
600 mV @ 1 μA
Stromverbrauch (Identifikation) - maximal:
1 mA
Mfr:
Ein- und zweimal
Betriebstemperatur:
150°C (TJ)
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
3.5pF @ 5V
Leistung - Max.:
100 mW
Packung / Gehäuse:
TO-226-3, Körper des Kurzschluss-TO-92-3
Basisproduktnummer:
KSK59
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Veraltet
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
20 V
Typ der Montage:
Durchs Loch
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
100 μA @ 5 V
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-92S
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
600 mV @ 1 μA
Stromverbrauch (Identifikation) - maximal:
1 mA
Mfr:
Ein- und zweimal
Betriebstemperatur:
150°C (TJ)
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
3.5pF @ 5V
Leistung - Max.:
100 mW
Packung / Gehäuse:
TO-226-3, Körper des Kurzschluss-TO-92-3
Basisproduktnummer:
KSK59
KSK596ABU
JFET N-Kanal 20 V 1 mA 100 mW durch Loch TO-92S

Tags:

IRFP90N20D-Dioden-Trioden-Transistor,

Dioden-Trioden-Transistor durch Loch-Montage,

Dioden-Trioden-Transistor 200V 50A

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