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Produktdetails

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Beschreibung: JFET N-CH 20MA MINI3-G1

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Veraltet
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Reihe:
-
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
600 μA @ 10 V
Mfr:
Elektronische Komponenten von Panasonic
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
1.5 V @ 10 μA
Lieferanten-Gerätepaket:
Mini3-G1
Stromverbrauch (Identifikation) - maximal:
20 MA
Betriebstemperatur:
150°C (TJ)
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
7pF @ 10V
Leistung - Max.:
150 mW
Packung / Gehäuse:
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:
Widerstand - RDS (an):
300 Ohm
Basisproduktnummer:
2SK1103
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Veraltet
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Reihe:
-
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
600 μA @ 10 V
Mfr:
Elektronische Komponenten von Panasonic
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
1.5 V @ 10 μA
Lieferanten-Gerätepaket:
Mini3-G1
Stromverbrauch (Identifikation) - maximal:
20 MA
Betriebstemperatur:
150°C (TJ)
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
7pF @ 10V
Leistung - Max.:
150 mW
Packung / Gehäuse:
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:
Widerstand - RDS (an):
300 Ohm
Basisproduktnummer:
2SK1103
2SK11030QL
JFET N-Kanal 20 mA 150 mW Oberflächenhalter Mini3-G1

Tags:

IRFP90N20D-Dioden-Trioden-Transistor,

Dioden-Trioden-Transistor durch Loch-Montage,

Dioden-Trioden-Transistor 200V 50A

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