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Produktdetails

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Beschreibung: JFET P-CH 40V bis 92

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
P-Kanal
Produktstatus:
Veraltet
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
40 V
Typ der Montage:
Durchs Loch
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
1 mA @ 15 V
Lieferanten-Gerätepaket:
Die Ausgabe der Zulassung wird von der Zulassungsbehörde der Zentralbank der Zentralbank der Zentral
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
750 mV @ 1 μA
Leistung - Max.:
350 mW
Mfr:
Ein- und zweimal
Betriebstemperatur:
-65°C ~ 135°C (TJ)
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
7pF @ 15V
Packung / Gehäuse:
TO-226-3, TO-92-3 Langer Körper
Basisproduktnummer:
2N5460
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
P-Kanal
Produktstatus:
Veraltet
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
40 V
Typ der Montage:
Durchs Loch
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
1 mA @ 15 V
Lieferanten-Gerätepaket:
Die Ausgabe der Zulassung wird von der Zulassungsbehörde der Zentralbank der Zentralbank der Zentral
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
750 mV @ 1 μA
Leistung - Max.:
350 mW
Mfr:
Ein- und zweimal
Betriebstemperatur:
-65°C ~ 135°C (TJ)
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
7pF @ 15V
Packung / Gehäuse:
TO-226-3, TO-92-3 Langer Körper
Basisproduktnummer:
2N5460
2N5460G
JFET P-Kanal 40 V 350 mW durch Loch TO-92 (TO-226)

Tags:

IRFP90N20D-Dioden-Trioden-Transistor,

Dioden-Trioden-Transistor durch Loch-Montage,

Dioden-Trioden-Transistor 200V 50A

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