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Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Aktiv
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
40 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
24 mA @ 10 V
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-23-5
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
1.5 V @ 100 nA
Stromverbrauch (Identifikation) - maximal:
50 MA
Mfr:
Instrumente aus Texas
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
24pF @ 5V
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
40 V
Packung / Gehäuse:
SC-74A, SOT-753
Basisproduktnummer:
JFE150
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Aktiv
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
40 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
24 mA @ 10 V
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-23-5
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1.5 V @ 100 nA
Stromverbrauch (Identifikation) - maximal:
50 MA
Mfr:
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Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
24pF @ 5V
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
40 V
Packung / Gehäuse:
SC-74A, SOT-753
Basisproduktnummer:
JFE150
JFE150DBVR
JFET N-Kanal 40 V 50 mA Oberflächenbefestigung SOT-23-5

Tags:

IRFP90N20D-Dioden-Trioden-Transistor,

Dioden-Trioden-Transistor durch Loch-Montage,

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