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Produktdetails

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Beschreibung: JFET P-CH 30V bis 18

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
P-Kanal
Produktstatus:
Aktiv
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
30 V
Typ der Montage:
Durchs Loch
Paket:
Schüttgut
Reihe:
Militär, MIL-PRF-19500
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
25 mA @ 15 V
Mfr:
Mikrochiptechnik
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
4 V @ 1 nA
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-18
Packung / Gehäuse:
TO-206AA, Metall TO-18-3 kann
Leistung - Max.:
500 mW
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
27pF @ 15V
Widerstand - RDS (an):
175 Ohm
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
30 V
Basisproduktnummer:
2N5116
Betriebstemperatur:
-65°C | 200°C (TJ)
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
P-Kanal
Produktstatus:
Aktiv
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
30 V
Typ der Montage:
Durchs Loch
Paket:
Schüttgut
Reihe:
Militär, MIL-PRF-19500
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
25 mA @ 15 V
Mfr:
Mikrochiptechnik
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
4 V @ 1 nA
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-18
Packung / Gehäuse:
TO-206AA, Metall TO-18-3 kann
Leistung - Max.:
500 mW
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
27pF @ 15V
Widerstand - RDS (an):
175 Ohm
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
30 V
Basisproduktnummer:
2N5116
Betriebstemperatur:
-65°C | 200°C (TJ)
MX2N5116
JFET P-Kanal 30 V 500 mW durch Loch TO-18

Tags:

IRFP90N20D-Dioden-Trioden-Transistor,

Dioden-Trioden-Transistor durch Loch-Montage,

Dioden-Trioden-Transistor 200V 50A

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