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2N3823UB/TR
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Produktdetails

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Beschreibung: JFET N-CH 30V UB

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Aktiv
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
30 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
4 mA @ 15 V
Mfr:
Mikrochiptechnik
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
8 V @ 500 pA
Lieferanten-Gerätepaket:
UB
Packung / Gehäuse:
3-SMD, ohne Blei
Betriebstemperatur:
-55°C | 200°C (TJ)
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
6pF @ 15V
Leistung - Max.:
300mW
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
30 V
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Aktiv
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
30 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
4 mA @ 15 V
Mfr:
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8 V @ 500 pA
Lieferanten-Gerätepaket:
UB
Packung / Gehäuse:
3-SMD, ohne Blei
Betriebstemperatur:
-55°C | 200°C (TJ)
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
6pF @ 15V
Leistung - Max.:
300mW
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
30 V
2N3823UB/TR
JFET N-Kanal 30 V 300 mW Oberflächenbefestigung UB

Tags:

IRFP90N20D-Dioden-Trioden-Transistor,

Dioden-Trioden-Transistor durch Loch-Montage,

Dioden-Trioden-Transistor 200V 50A

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