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Produktdetails

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Beschreibung: JFET P-CH 30V SOT23-3

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
P-Kanal
Produktstatus:
Aktiv
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
30 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Reihe:
-
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
1.5 mA @ 15 V
Mfr:
Ein- und zweimal
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
800 mV @ 10 nA
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-23-3 (TO-236)
Packung / Gehäuse:
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
11pF @ 10V (VGS)
Leistung - Max.:
225mW
Widerstand - RDS (an):
300 Ohm
Basisproduktnummer:
Die Nummern 1 und 2 gelten nicht.
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
P-Kanal
Produktstatus:
Aktiv
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
30 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Reihe:
-
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
1.5 mA @ 15 V
Mfr:
Ein- und zweimal
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
800 mV @ 10 nA
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-23-3 (TO-236)
Packung / Gehäuse:
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
11pF @ 10V (VGS)
Leistung - Max.:
225mW
Widerstand - RDS (an):
300 Ohm
Basisproduktnummer:
Die Nummern 1 und 2 gelten nicht.
MMBFJ177LT1G
JFET-P-Kanal 30 V 225-mW-Oberflächenberg SOT-23-3 (TO-236)

Tags:

IRFP90N20D-Dioden-Trioden-Transistor,

Dioden-Trioden-Transistor durch Loch-Montage,

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