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Haus > produits > Dioden-Trioden-Transistor > Die Anlage ist nicht mehr in Betrieb.
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Produktdetails

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Beschreibung: JFET N-CH 40V 3UB

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Aktiv
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
40 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Schüttgut
Reihe:
Militärische, MIL-PRF-19500/431
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
30 mA @ 20 V
Mfr:
Mikrochiptechnik
Lieferanten-Gerätepaket:
3-UB (3.09x2.45)
Packung / Gehäuse:
3-SMD, ohne Blei
Leistung - Max.:
360 mW
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
16pF @ 20V
Widerstand - RDS (an):
30 Ohm
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
40 V
Betriebstemperatur:
-65°C ~ 175°C (TJ)
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Aktiv
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
40 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Schüttgut
Reihe:
Militärische, MIL-PRF-19500/431
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
30 mA @ 20 V
Mfr:
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Lieferanten-Gerätepaket:
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Packung / Gehäuse:
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Leistung - Max.:
360 mW
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
16pF @ 20V
Widerstand - RDS (an):
30 Ohm
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
40 V
Betriebstemperatur:
-65°C ~ 175°C (TJ)
Die Anlage ist nicht mehr in Betrieb.
JFET N-Kanal 40 V 360 mW Oberflächenhalter 3-UB (3.09x2.45)

Tags:

IRFP90N20D-Dioden-Trioden-Transistor,

Dioden-Trioden-Transistor durch Loch-Montage,

Dioden-Trioden-Transistor 200V 50A

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