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Produktdetails

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Beschreibung: JFET N-CH 40V bis 18

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
-
Produktstatus:
Aktiv
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
40 V
Typ der Montage:
Durchs Loch
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
5 mA @ 20 V
Mfr:
Solid-state Inc.
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
500 mV @ 1 nA
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-18
Packung / Gehäuse:
TO-206AA, Metall TO-18-3 kann
Betriebstemperatur:
-
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
14pF @ 20V
Leistung - Max.:
300mW
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
40 V
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
-
Produktstatus:
Aktiv
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
40 V
Typ der Montage:
Durchs Loch
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
5 mA @ 20 V
Mfr:
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Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
500 mV @ 1 nA
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-18
Packung / Gehäuse:
TO-206AA, Metall TO-18-3 kann
Betriebstemperatur:
-
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
14pF @ 20V
Leistung - Max.:
300mW
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
40 V
2N4393
JFET 40 V 300 mW durch Loch TO-18

Tags:

IRFP90N20D-Dioden-Trioden-Transistor,

Dioden-Trioden-Transistor durch Loch-Montage,

Dioden-Trioden-Transistor 200V 50A

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