Produktdetails
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Beschreibung: JFET N-CH 50V 14MA SC59
Kategorie: |
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
JFETs |
FET-Typ: |
N-Kanal |
Produktstatus: |
Aktiv |
Spannungsausfall (V (BR) GSS): |
50 V |
Typ der Montage: |
Oberflächenbefestigung |
Paket: |
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel® |
Reihe: |
- |
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
14 mA @ 10 V |
Lieferanten-Gerätepaket: |
SC-59 |
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @: |
1.5 V @ 100 nA |
Stromverbrauch (Identifikation) - maximal: |
14 MA |
Mfr: |
Toshiba Halbleiter und Speicher |
Betriebstemperatur: |
125°C (TJ) |
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: |
13pF @ 10V |
Leistung - Max.: |
150 mW |
Packung / Gehäuse: |
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen: |
Basisproduktnummer: |
2SK209 |
Kategorie: |
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
JFETs |
FET-Typ: |
N-Kanal |
Produktstatus: |
Aktiv |
Spannungsausfall (V (BR) GSS): |
50 V |
Typ der Montage: |
Oberflächenbefestigung |
Paket: |
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel® |
Reihe: |
- |
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
14 mA @ 10 V |
Lieferanten-Gerätepaket: |
SC-59 |
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @: |
1.5 V @ 100 nA |
Stromverbrauch (Identifikation) - maximal: |
14 MA |
Mfr: |
Toshiba Halbleiter und Speicher |
Betriebstemperatur: |
125°C (TJ) |
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: |
13pF @ 10V |
Leistung - Max.: |
150 mW |
Packung / Gehäuse: |
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen: |
Basisproduktnummer: |
2SK209 |