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Produktdetails

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Beschreibung: JFET P-CH 30V bis 18

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
P-Kanal
Produktstatus:
Aktiv
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
30 V
Typ der Montage:
Durchs Loch
Paket:
Schüttgut
Reihe:
Militär, MIL-PRF-19500
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
30 mA @ 18 V
Mfr:
Mikrochiptechnik
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
10 V @ 1 nA
Lieferanten-Gerätepaket:
Die in Absatz 1 genannten Angaben sind zu beachten.
Packung / Gehäuse:
TO-206AA, Metall TO-18-3 kann
Leistung - Max.:
500 mW
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
25pF @ 15V
Widerstand - RDS (an):
75 Ohm
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
30 V
Betriebstemperatur:
-65°C | 200°C (TJ)
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
P-Kanal
Produktstatus:
Aktiv
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
30 V
Typ der Montage:
Durchs Loch
Paket:
Schüttgut
Reihe:
Militär, MIL-PRF-19500
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
30 mA @ 18 V
Mfr:
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10 V @ 1 nA
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TO-206AA, Metall TO-18-3 kann
Leistung - Max.:
500 mW
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
25pF @ 15V
Widerstand - RDS (an):
75 Ohm
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
30 V
Betriebstemperatur:
-65°C | 200°C (TJ)
MQ2N5114
JFET P-Kanal 30 V 500 mW durch Loch TO-18 (TO-206AA)

Tags:

IRFP90N20D-Dioden-Trioden-Transistor,

Dioden-Trioden-Transistor durch Loch-Montage,

Dioden-Trioden-Transistor 200V 50A

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