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Produktdetails

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Beschreibung: JFET N-CH 40V TO218

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Aktiv
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
40 V
Typ der Montage:
Durchs Loch
Paket:
Tasche
Reihe:
-
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
50 mA @ 15 V
Mfr:
NTE Electronics, Inc
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
4 V @ 500 pA
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-218
Packung / Gehäuse:
TO-218-3
Leistung - Max.:
360 mW
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
18pF @ 10V
Widerstand - RDS (an):
25 Ohm
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
40 V
Betriebstemperatur:
-
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Aktiv
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
40 V
Typ der Montage:
Durchs Loch
Paket:
Tasche
Reihe:
-
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
50 mA @ 15 V
Mfr:
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Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
4 V @ 500 pA
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-218
Packung / Gehäuse:
TO-218-3
Leistung - Max.:
360 mW
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
18pF @ 10V
Widerstand - RDS (an):
25 Ohm
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
40 V
Betriebstemperatur:
-
NTE466
JFET N-Kanal 40 V 360 mW durch Loch TO-218

Tags:

IRFP90N20D-Dioden-Trioden-Transistor,

Dioden-Trioden-Transistor durch Loch-Montage,

Dioden-Trioden-Transistor 200V 50A

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