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2SK3320-BL ((TE85L,F)
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Produktdetails

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Beschreibung: JFET N-CH USV

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Reihe:
-
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
6 mA @ 10 V
Lieferanten-Gerätepaket:
USV
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
200 mV @ 100 nA
Leistung - Max.:
200 mW
Mfr:
Toshiba Halbleiter und Speicher
Betriebstemperatur:
125°C (TJ)
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
13pF @ 10V
Packung / Gehäuse:
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Basisproduktnummer:
2SK3320
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Reihe:
-
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
6 mA @ 10 V
Lieferanten-Gerätepaket:
USV
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200 mV @ 100 nA
Leistung - Max.:
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Mfr:
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Betriebstemperatur:
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Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
13pF @ 10V
Packung / Gehäuse:
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Basisproduktnummer:
2SK3320
2SK3320-BL ((TE85L,F)
JFET N-Kanal 200 mW Oberflächenbefestigung

Tags:

IRFP90N20D-Dioden-Trioden-Transistor,

Dioden-Trioden-Transistor durch Loch-Montage,

Dioden-Trioden-Transistor 200V 50A

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