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Die Bezeichnung
Die Bezeichnung

Die Bezeichnung "S" ist die Bezeichnung für die Bezeichnung der Bezeichnung der Bezeichnung.

Produktdetails

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Beschreibung: JFET N-CH 30V SOT23-3

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Aktiv
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
30 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Reihe:
Automobilindustrie, AEC-Q101
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
30 mA @ 15 V
Mfr:
Ein- und zweimal
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
3 V @ 10 nA
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-23-3 (TO-236)
Packung / Gehäuse:
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:
Leistung - Max.:
225mW
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
14pF @ 15V (VGS)
Widerstand - RDS (an):
100 Ohm
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
30 V
Basisproduktnummer:
Der Präsident. - Nach der Tagesordnung folgt die Aussprache.
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Aktiv
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
30 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Reihe:
Automobilindustrie, AEC-Q101
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
30 mA @ 15 V
Mfr:
Ein- und zweimal
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
3 V @ 10 nA
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-23-3 (TO-236)
Packung / Gehäuse:
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:
Leistung - Max.:
225mW
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
14pF @ 15V (VGS)
Widerstand - RDS (an):
100 Ohm
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
30 V
Basisproduktnummer:
Der Präsident. - Nach der Tagesordnung folgt die Aussprache.
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Die Bezeichnung "S" ist die Bezeichnung für die Bezeichnung der Bezeichnung der Bezeichnung.
JFET N-Kanal 30 V 225 mW Oberflächenbefestigung SOT-23-3 (TO-236)

Tags:

IRFP90N20D-Dioden-Trioden-Transistor,

Dioden-Trioden-Transistor durch Loch-Montage,

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