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Beschreibung: JFET N-CH TO18

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Veraltet
Typ der Montage:
Durchs Loch
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
20 mA @ 15 V
Mfr:
Zentral Semiconductor Corp.
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
2 V @ 1 nA
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-18
Packung / Gehäuse:
TO-206AA, Metall TO-18-3 kann
Leistung - Max.:
350 mW
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
5pF @ 10V
Widerstand - RDS (an):
40 Ohm
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
40 V
Betriebstemperatur:
-65°C ~ 175°C (TJ)
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Veraltet
Typ der Montage:
Durchs Loch
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
20 mA @ 15 V
Mfr:
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2 V @ 1 nA
Lieferanten-Gerätepaket:
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Packung / Gehäuse:
TO-206AA, Metall TO-18-3 kann
Leistung - Max.:
350 mW
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
5pF @ 10V
Widerstand - RDS (an):
40 Ohm
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
40 V
Betriebstemperatur:
-65°C ~ 175°C (TJ)
BSV79
JFET N-Kanal 350 mW durch Loch TO-18

Tags:

IRFP90N20D-Dioden-Trioden-Transistor,

Dioden-Trioden-Transistor durch Loch-Montage,

Dioden-Trioden-Transistor 200V 50A

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