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Produktdetails

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Beschreibung: JFET P-CH 30V bis 18

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
P-Kanal
Produktstatus:
Veraltet
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
30 V
Typ der Montage:
Durchs Loch
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
900 μA @ 5 V
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-18
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
1 V @ 1 μA
Leistung - Max.:
300mW
Mfr:
Zentral Semiconductor Corp.
Betriebstemperatur:
-
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
-
Packung / Gehäuse:
TO-206AA, Metall TO-18-3 kann
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
P-Kanal
Produktstatus:
Veraltet
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
30 V
Typ der Montage:
Durchs Loch
Paket:
Schüttgut
Reihe:
-
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
900 μA @ 5 V
Lieferanten-Gerätepaket:
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1 V @ 1 μA
Leistung - Max.:
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Mfr:
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Betriebstemperatur:
-
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
-
Packung / Gehäuse:
TO-206AA, Metall TO-18-3 kann
2N2608
JFET P-Kanal 30 V 300 mW durch Loch TO-18

Tags:

IRFP90N20D-Dioden-Trioden-Transistor,

Dioden-Trioden-Transistor durch Loch-Montage,

Dioden-Trioden-Transistor 200V 50A

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