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Produktdetails

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Beschreibung: JFET N-CH 35V bis 92

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Veraltet
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
35 V
Typ der Montage:
Durchs Loch
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT)
Reihe:
-
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
5 mA @ 15 V
Mfr:
Ein- und zweimal
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
1 V @ 1 μA
Lieferanten-Gerätepaket:
Die Ausgabe der Zulassung wird von der Zulassungsbehörde der Zentralbank der Zentralbank der Zentral
Packung / Gehäuse:
TO-226-3, TO-92-3 Langkörper (geformte Schleifen)
Betriebstemperatur:
-65 °C bis 150 °C (TJ)
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
-
Leistung - Max.:
350 mW
Widerstand - RDS (an):
50 Ohm
Basisproduktnummer:
J112
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Veraltet
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
35 V
Typ der Montage:
Durchs Loch
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT)
Reihe:
-
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
5 mA @ 15 V
Mfr:
Ein- und zweimal
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
1 V @ 1 μA
Lieferanten-Gerätepaket:
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Packung / Gehäuse:
TO-226-3, TO-92-3 Langkörper (geformte Schleifen)
Betriebstemperatur:
-65 °C bis 150 °C (TJ)
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
-
Leistung - Max.:
350 mW
Widerstand - RDS (an):
50 Ohm
Basisproduktnummer:
J112
J112RLRAG
JFET N-Channel 35 V 350 mW Through Hole TO-92 (TO-226)

Tags:

IRFP90N20D-Dioden-Trioden-Transistor,

Dioden-Trioden-Transistor durch Loch-Montage,

Dioden-Trioden-Transistor 200V 50A

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