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Produktdetails

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Beschreibung: JFET N-CH 1MA 3VTFP

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Veraltet
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
140 μA @ 2 V
Lieferanten-Gerätepaket:
3-VTFP
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
100 mV @ 1 μA
Stromverbrauch (Identifikation) - maximal:
1 mA
Mfr:
Ein- und zweimal
Betriebstemperatur:
150°C (TJ)
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
3.1pF @ 2V
Leistung - Max.:
100 mW
Packung / Gehäuse:
3-SMD, flache Führung
Basisproduktnummer:
TF256
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Veraltet
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
140 μA @ 2 V
Lieferanten-Gerätepaket:
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Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
100 mV @ 1 μA
Stromverbrauch (Identifikation) - maximal:
1 mA
Mfr:
Ein- und zweimal
Betriebstemperatur:
150°C (TJ)
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
3.1pF @ 2V
Leistung - Max.:
100 mW
Packung / Gehäuse:
3-SMD, flache Führung
Basisproduktnummer:
TF256
Die Angabe der in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben ist zu beachten.
JFET N-Kanal 1 mA 100 mW Oberflächenbefestigung 3-VTFP

Tags:

IRFP90N20D-Dioden-Trioden-Transistor,

Dioden-Trioden-Transistor durch Loch-Montage,

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